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Publikation - Detailansicht

Bereich Mathematik und Naturwissenschaften - Fakultät Physik - Institut für Angewandte Physik - Professur für Experimentalphysik/Photophysik/Nanooptik

Ali, T. ; Polakowski, P. ; Büttner, T. ; Kämpfe, T. ; Rudolph, M. ; Pätzold, B. ; Hoffmann, R. ; Czernohorsky, M. ; Kühnel, K. ; Steinke, P. ; Zimmermann, K. ; Biedermann, K. ; Eng, L. M. ; Seidel, K. ; Müller, J.
Theory and Experiment of Antiferroelectric (AFE) Si-Doped Hafnium Oxide (HSO) Enhanced Floating-Gate Memory
Typ der Veröffentlichung
Zeitschriftenaufsatz
Veröffentlicht in
IEEE Transactions on Electron Devices
Jahrgang/Erscheinungsjahr
2019
Band/Vol.
66
Heftnummer/Issue
8
Seiten
3356-3364
Referiert
Ja
Open Access
Nein
ISSN
0018-9383
Berichtsjahr
2019
Stand: 03.09.2019
BibTeX